Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > BS108G
RFQs/ORDER (0)
русский
3400805

BS108G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    BS108G
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-92-3
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 Ohm @ 100mA, 2.8V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    350mW (Ta)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    150pF @ 25V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    2V, 2.8V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    200V
  • Подробное описание
    N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    250mA (Ta)
BS120

BS120

Описание: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
BS107PSTOB

BS107PSTOB

Описание: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
BS107G

BS107G

Описание: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
BS107ARL1G

BS107ARL1G

Описание: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
BS107PSTZ

BS107PSTZ

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
BS107P

BS107P

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
BS12I-MC

BS12I-MC

Описание: SNAPS 9V 12" I-STYLE MOLDED

Производители: MPD (Memory Protection Devices)
Быть в наличии
BS108,126

BS108,126

Описание: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Производители: NXP Semiconductors / Freescale
Быть в наличии
BS12I

BS12I

Описание: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE

Производители: MPD (Memory Protection Devices)
Быть в наличии
BS108/01,126

BS108/01,126

Описание: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Производители: NXP Semiconductors / Freescale
Быть в наличии
BS12T

BS12T

Описание: 9V SNAP T STYLE 12" WIRE LEADS

Производители: MPD (Memory Protection Devices)
Быть в наличии
BS12I-NICAD

BS12I-NICAD

Описание: NICAD BATT 9V 3WIRE LEAD PL BODY

Производители: MPD (Memory Protection Devices)
Быть в наличии
BS107ARL1

BS107ARL1

Описание: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
BS107PSTOA

BS107PSTOA

Описание: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
BS120E0F

BS120E0F

Описание: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
BS12T-HD

BS12T-HD

Описание: 9V HD SNAP T STYLE 12" WIRE LEAD

Производители: MPD (Memory Protection Devices)
Быть в наличии
BS12I-22

BS12I-22

Описание: 9V SNAP I STYLE 12" WIRE LEADS

Производители: MPD (Memory Protection Devices)
Быть в наличии
BS108ZL1G

BS108ZL1G

Описание: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
BS107AG

BS107AG

Описание: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
BS12I-HD-24AWG

BS12I-HD-24AWG

Описание: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE HD

Производители: MPD (Memory Protection Devices)
Быть в наличии

Review (1)

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти