Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > ALD1110EPAL
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1402997ALD1110EPAL Image.Advanced Linear Devices, Inc.

ALD1110EPAL

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
50+
$4.373
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    ALD1110EPAL
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.01V @ 1µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-PDIP
  • Серии
    EPAD®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500 Ohm @ 5V
  • Мощность - Макс
    600mW
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Рабочая Температура
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    8 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    2.5pF @ 5V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    -
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • FET Характеристика
    Standard
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    10V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Through Hole 8-PDIP
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    -
ALD110914PAL

ALD110914PAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD110914SAL

ALD110914SAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD1116SAL

ALD1116SAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD1117PAL

ALD1117PAL

Описание: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD110908APAL

ALD110908APAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD110904PAL

ALD110904PAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD110904SAL

ALD110904SAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD1115PAL

ALD1115PAL

Описание: MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD110902SAL

ALD110902SAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD111910PAL

ALD111910PAL

Описание: MOSFET 2N-CH 8DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD110908ASAL

ALD110908ASAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD1115MAL

ALD1115MAL

Описание: MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD110902PAL

ALD110902PAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD111910MAL

ALD111910MAL

Описание: MOSFET 2N-CH 8MSOP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD110908PAL

ALD110908PAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD1115SAL

ALD1115SAL

Описание: MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD110908SAL

ALD110908SAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD1117SAL

ALD1117SAL

Описание: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD1110ESAL

ALD1110ESAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
ALD1116PAL

ALD1116PAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти