Главная > Продукты > Интегрированные цепи (ICS) > Память > AS4C128M32MD2-18BINTR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
622180AS4C128M32MD2-18BINTR Image.Alliance Memory, Inc.

AS4C128M32MD2-18BINTR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    AS4C128M32MD2-18BINTR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Время цикла записи - слово, страница
    15ns
  • Напряжение тока - поставка
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Технологии
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Поставщик Упаковка устройства
    134-FBGA (10x11.5)
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    134-VFBGA
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    4Gb (128M x 32)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    DRAM
  • Подробное описание
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • Тактовая частота
    533MHz
AS4C128M16MD2-25BCNTR

AS4C128M16MD2-25BCNTR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M8D2-25BCNTR

AS4C128M8D2-25BCNTR

Описание: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M32MD2A-25BIN

AS4C128M32MD2A-25BIN

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M16MD2A-25BCNTR

AS4C128M16MD2A-25BCNTR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M16D3LB-12BINTR

AS4C128M16D3LB-12BINTR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M32MD2-18BCN

AS4C128M32MD2-18BCN

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M8D2-25BIN

AS4C128M8D2-25BIN

Описание: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M8D1-6TINTR

AS4C128M8D1-6TINTR

Описание: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M32MD2A-18BINTR

AS4C128M32MD2A-18BINTR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M32MD2A-25BINTR

AS4C128M32MD2A-25BINTR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M16D3LB-12BCNTR

AS4C128M16D3LB-12BCNTR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M32MD2A-18BIN

AS4C128M32MD2A-18BIN

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M32MD2-18BCNTR

AS4C128M32MD2-18BCNTR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M16MD2A-25BCN

AS4C128M16MD2A-25BCN

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M8D1-6TIN

AS4C128M8D1-6TIN

Описание: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M16MD2-25BCN

AS4C128M16MD2-25BCN

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M32MD2-18BIN

AS4C128M32MD2-18BIN

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M8D2-25BCN

AS4C128M8D2-25BCN

Описание: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M16D3LB-12BIN

AS4C128M16D3LB-12BIN

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C128M8D2-25BINTR

AS4C128M8D2-25BINTR

Описание: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти