Главная > Продукты > Интегрированные цепи (ICS) > Память > AS4C256M32MD2-18BINTR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4955113

AS4C256M32MD2-18BINTR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    AS4C256M32MD2-18BINTR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение тока - поставка
    1.2V, 1.8V
  • Технологии
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Поставщик Упаковка устройства
    134-FBGA (11.5x11.5)
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    134-VFBGA
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    8Gb (256M x 32)
  • Формат памяти
    DRAM
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 8Gb (256M x 32) 533MHz 134-FBGA (11.5x11.5)
  • Тактовая частота
    533MHz
AS4C256M8D3-12BCNTR

AS4C256M8D3-12BCNTR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M16D3LB-12BAN

AS4C256M16D3LB-12BAN

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M8D2-25BINTR

AS4C256M8D2-25BINTR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M16D3LA-12BINTR

AS4C256M16D3LA-12BINTR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M16D3LB-12BIN

AS4C256M16D3LB-12BIN

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M8D2-25BCNTR

AS4C256M8D2-25BCNTR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M16D3LB-12BINTR

AS4C256M16D3LB-12BINTR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M32MD2-18BCNTR

AS4C256M32MD2-18BCNTR

Описание: IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M32MD2-18BIN

AS4C256M32MD2-18BIN

Описание: IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M16D3LB-12BANTR

AS4C256M16D3LB-12BANTR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M8D3-12BCN

AS4C256M8D3-12BCN

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M16D3LB-12BCN

AS4C256M16D3LB-12BCN

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M16D3LB-12BCNTR

AS4C256M16D3LB-12BCNTR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M8D2-25BCN

AS4C256M8D2-25BCN

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M8D3-12BINTR

AS4C256M8D3-12BINTR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M8D2-25BIN

AS4C256M8D2-25BIN

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M8D3-12BAN

AS4C256M8D3-12BAN

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M8D3-12BIN

AS4C256M8D3-12BIN

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M32MD2-18BCN

AS4C256M32MD2-18BCN

Описание: IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C256M8D3-12BANTR

AS4C256M8D3-12BANTR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти