Главная > Продукты > Интегрированные цепи (ICS) > Память > AS4C4M16SA-6BANTR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4346674AS4C4M16SA-6BANTR Image.Alliance Memory, Inc.

AS4C4M16SA-6BANTR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$2.287
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    AS4C4M16SA-6BANTR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Время цикла записи - слово, страница
    2ns
  • Напряжение тока - поставка
    3 V ~ 3.6 V
  • Технологии
    SDRAM
  • Поставщик Упаковка устройства
    54-TFBGA (8x8)
  • Серии
    Automotive, AEC-Q100
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    54-TFBGA
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    64Mb (4M x 16)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    DRAM
  • Стандартное время изготовления
    8 Weeks
  • Подробное описание
    SDRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
  • Тактовая частота
    166MHz
  • Время доступа
    5.4ns
AS4C4M16SA-6TAN

AS4C4M16SA-6TAN

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16SA-6TCN

AS4C4M16SA-6TCN

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16S-7TCNTR

AS4C4M16S-7TCNTR

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16SA-6BIN

AS4C4M16SA-6BIN

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16S-7TCN

AS4C4M16S-7TCN

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16S-6TANTR

AS4C4M16S-6TANTR

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16S-6TIN

AS4C4M16S-6TIN

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16SA-6TINTR

AS4C4M16SA-6TINTR

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16SA-6TCNTR

AS4C4M16SA-6TCNTR

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16S-6TCNTR

AS4C4M16S-6TCNTR

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16S-6TINTR

AS4C4M16S-6TINTR

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16SA-7B2CNTR

AS4C4M16SA-7B2CNTR

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 60FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16SA-6BAN

AS4C4M16SA-6BAN

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16SA-5TCN

AS4C4M16SA-5TCN

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16SA-7B2CN

AS4C4M16SA-7B2CN

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 60FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16SA-6TIN

AS4C4M16SA-6TIN

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16S-6TCN

AS4C4M16S-6TCN

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16SA-5TCNTR

AS4C4M16SA-5TCNTR

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16SA-6BINTR

AS4C4M16SA-6BINTR

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C4M16SA-6TANTR

AS4C4M16SA-6TANTR

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти