Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN3032LFDB-13
RFQs/ORDER (0)
русский
4061916DMN3032LFDB-13 Image.Diodes Incorporated

DMN3032LFDB-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
10000+
$0.149
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN3032LFDB-13
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    U-DFN2020-6 (Type B)
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 5.8A, 10V
  • Мощность - Макс
    1W
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    6-UDFN Exposed Pad
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    16 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    500pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    10.6nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    Standard
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    6.2A
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Описание: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3030LSS-13

DMN3030LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3026LVTQ-13

DMN3026LVTQ-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3033LDM-7

DMN3033LDM-7

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

Описание: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3026LVTQ-7

DMN3026LVTQ-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3031LSS-13

DMN3031LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

Описание: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

Описание:

Производители: DIODES
Быть в наличии
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3033LSNQ-13

DMN3033LSNQ-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии

Review (1)

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти