SIHD4N80E-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$2.03

10+

$1.835

100+

$1.475

500+

$1.147

1000+

$0.95

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SIHD4N80E-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SIHD4N80E-GE3.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

D-PAK (TO-252AA)
Серии

E
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.27 Ohm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

69W (Tc)
упаковка

Bulk
Упаковка /

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

622pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

32nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

800V
Подробное описание

N-Channel 800V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

4.3A (Tc)

Связанные новости
Перевозка
Способы оплаты

Мы установили долгосрочные партнерские отношения с крупными поставщиками глобальной логистики, предлагая гибкие и эффективные решения для доставки, адаптированные к вашим уникальным потребностям.В зависимости от размера, веса и пункта назначения вашего заказа, мы выбираем наиболее подходящего перевозчика.Мы также предоставляем услуги отслеживания логистики в реальном времени, позволяя клиентам понимать местоположение и статус своих товаров в любое время. Если у вас есть конкретные международные маршруты доставки или назначенный экспедитор, свяжитесь с нашей командой по продажам-мы рады удовлетворить ваши требования.

Мы поддерживаем несколько методов оплаты, включая кредитные карты, проводные переводы и другие варианты, и принимаем большинство валют.Для заказов, размещенных в долларах США, доступны дополнительные варианты оплаты.Для получения более подробной информации о методах и процедурах оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам.

Ниже приведены продукты, связанные с SIHD4N80E-GE3.

SIHD6N62E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Производители: Vishay Siliconix

Быть в наличии

SIHD4N80E-GE3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

AI-Driven Future: Semiconductor and Electronic Component In...

Renesas Electronics отказывается от SIC Power...

Ireland’s “Silicon Island” Plan: Strengthening Europe’s...

AMD приобретает Cilicon Photonics Chip Company E...

Startup Ai Chip Startup Edgecortix получает 3 ми...

Банкротство Wolfspeed Plans, Renesas сталк...

Учреждение: Ожидается, что цены ...

NVIDIA to Build Giant AI Supercomputer in Taiwan

Foxconn инвестирует 1,5 миллиарда до...

Учреждение: сложность HBM4 в произ...

Crusoe Texas Data Center приобретает финан...

Siemens приобретает EDA Developer Software Excel...

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Выберите язык

Текущий язык