SIHD9N60E-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

3000+

$0.977

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SIHD9N60E-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SIHD9N60E-GE3.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

D-PAK (TO-252AA)
Серии

E
Rds On (Max) @ Id, Vgs

368 mOhm @ 4.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

78W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Другие названия

SIHD9N60E-GE3TR
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

778pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

52nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 9A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

9A (Tc)

Связанные новости
Перевозка
Способы оплаты

Мы установили долгосрочные партнерские отношения с крупными поставщиками глобальной логистики, предлагая гибкие и эффективные решения для доставки, адаптированные к вашим уникальным потребностям.В зависимости от размера, веса и пункта назначения вашего заказа, мы выбираем наиболее подходящего перевозчика.Мы также предоставляем услуги отслеживания логистики в реальном времени, позволяя клиентам понимать местоположение и статус своих товаров в любое время. Если у вас есть конкретные международные маршруты доставки или назначенный экспедитор, свяжитесь с нашей командой по продажам-мы рады удовлетворить ваши требования.

Мы поддерживаем несколько методов оплаты, включая кредитные карты, проводные переводы и другие варианты, и принимаем большинство валют.Для заказов, размещенных в долларах США, доступны дополнительные варианты оплаты.Для получения более подробной информации о методах и процедурах оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам.

Ниже приведены продукты, связанные с SIHD9N60E-GE3.

SIHD7N60ET4-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

SIHD9N60E-GE3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Политика тарифов США неясно, Мал...

Стимулируется китайским полупр...

GlobalFoundries приобретает MIPS, еще одн...

Учреждение: Несмотря на постоян...

DAC 2025 Highlights the Rise of Multi-Agent Systems in EDA

Южная Корея уменьшает свою зави...

Соединенные Штаты планируют нал...

Полу 3DIC Advanced Packaging Alliance станет си...

UK Semiconductors 2025: Innovation, Ecosystem, and Strategi...

Foundry Samsung Wafer хочет бороться за NVID...

Intel рассматривает корректировку...

Экспорт полупроводникового экс...

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Выберите язык

Текущий язык