SIR112DP-T1-RE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

3000+

$0.641

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SIR112DP-T1-RE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CHAN 40V
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SIR112DP-T1-RE3.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (макс.)

+20V, -16V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PowerPAK® SO-8
Серии

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.96 mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

5W (Ta), 62.5W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

PowerPAK® SO-8
Другие названия

SIR112DP-T1-RE3TR
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

4270pF @ 20V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

89nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

40V
Подробное описание

N-Channel 40V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

37.6A (Ta), 133A (Tc)

Связанные новости
Перевозка
Способы оплаты

Мы установили долгосрочные партнерские отношения с крупными поставщиками глобальной логистики, предлагая гибкие и эффективные решения для доставки, адаптированные к вашим уникальным потребностям.В зависимости от размера, веса и пункта назначения вашего заказа, мы выбираем наиболее подходящего перевозчика.Мы также предоставляем услуги отслеживания логистики в реальном времени, позволяя клиентам понимать местоположение и статус своих товаров в любое время. Если у вас есть конкретные международные маршруты доставки или назначенный экспедитор, свяжитесь с нашей командой по продажам-мы рады удовлетворить ваши требования.

Мы поддерживаем несколько методов оплаты, включая кредитные карты, проводные переводы и другие варианты, и принимаем большинство валют.Для заказов, размещенных в долларах США, доступны дополнительные варианты оплаты.Для получения более подробной информации о методах и процедурах оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам.

Ниже приведены продукты, связанные с SIR112DP-T1-RE3.

SIR-56ST3FF

Описание: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

Производители: LAPIS Semiconductor

Быть в наличии

SIR112DP-T1-RE3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Южная Корея запрашивает освобож...

SENSOR+TEST 2025 A Global Stage for Innovation in Sensor an...

Индийское производство чипов ст...

PCIM Europe 2025 Highlights

OEM -бизнес Samsung снова пострадает, ...

TI introduces latest innovations in edge AI, automotive and...

Полу: 1 Q1 Глобальные поставки кре...

Полу: глобальный доход от рынка ...

Плотность дефектов TSMC 2-го проце...

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

Контрпункт: К 2024 году глобальная...

Чип TSMC 2NM будет производиться во ...

Выберите язык

Текущий язык