Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SISA26DN-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5661712SISA26DN-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SISA26DN-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.00
10+
$0.879
100+
$0.678
500+
$0.502
1000+
$0.402
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SISA26DN-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    +16V, -12V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Серии
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.65 mOhm @ 15A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    39W (Tc)
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    PowerPAK® 1212-8S
  • Другие названия
    SISA26DN-T1-GE3DKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    2247pF @ 10V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    25V
  • Подробное описание
    N-Channel 25V 60A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    60A (Tc)
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Описание:

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Описание:

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Описание: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Описание:

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Описание:

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Описание: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Описание:

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Описание:

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Описание: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Описание: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти