SISH106DN-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

3000+

$0.799

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SISH106DN-T1-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SISH106DN-T1-GE3.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±12V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PowerPAK® 1212-8SH
Серии

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)

1.5W (Ta)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

PowerPAK® 1212-8SH
Другие названия

SISH106DN-T1-GE3TR
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

27nC @ 4.5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

20V
Подробное описание

N-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

12.5A (Ta)

Связанные новости
Перевозка
Способы оплаты

Мы установили долгосрочные партнерские отношения с крупными поставщиками глобальной логистики, предлагая гибкие и эффективные решения для доставки, адаптированные к вашим уникальным потребностям.В зависимости от размера, веса и пункта назначения вашего заказа, мы выбираем наиболее подходящего перевозчика.Мы также предоставляем услуги отслеживания логистики в реальном времени, позволяя клиентам понимать местоположение и статус своих товаров в любое время. Если у вас есть конкретные международные маршруты доставки или назначенный экспедитор, свяжитесь с нашей командой по продажам-мы рады удовлетворить ваши требования.

Мы поддерживаем несколько методов оплаты, включая кредитные карты, проводные переводы и другие варианты, и принимаем большинство валют.Для заказов, размещенных в долларах США, доступны дополнительные варианты оплаты.Для получения более подробной информации о методах и процедурах оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам.

Ниже приведены продукты, связанные с SISH106DN-T1-GE3.

SISS10DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

SISH106DN-T1-GE3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Южная Корея запрашивает освобож...

SENSOR+TEST 2025 A Global Stage for Innovation in Sensor an...

Индийское производство чипов ст...

PCIM Europe 2025 Highlights

OEM -бизнес Samsung снова пострадает, ...

TI introduces latest innovations in edge AI, automotive and...

Полу: 1 Q1 Глобальные поставки кре...

Полу: глобальный доход от рынка ...

Плотность дефектов TSMC 2-го проце...

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

Контрпункт: К 2024 году глобальная...

Чип TSMC 2NM будет производиться во ...

Выберите язык

Текущий язык