Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Диоды - выпрямители - сингл > S12J
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6239371

S12J

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
100+
$4.679
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    S12J
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - Пиковое обратное (Макс)
    Standard
  • Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если
    12A
  • Напряжение - Разбивка
    DO-4
  • Серии
    -
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Обратное время восстановления (ТИР)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Сопротивление @ Если, F
    -
  • поляризация
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Другие названия
    S12JGN
  • Тип установки
    Chassis, Stud Mount
  • Уровень влажности (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    10 Weeks
  • Номер детали производителя
    S12J
  • Расширенное описание
    Diode Standard 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Диод Конфигурация
    10µA @ 50V
  • Описание
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
  • Ток - Обратный утечки @ Vr
    1.1V @ 12A
  • Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode)
    600V
  • Емкостной @ В.Р., F
    -65°C ~ 175°C
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S12GC R7G

S12GC R7G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S12DR

S12DR

Описание: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
S12JC M6G

S12JC M6G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S12JC V7G

S12JC V7G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S12G

S12G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
S12JC R7G

S12JC R7G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S12K

S12K

Описание: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
S12GC V6G

S12GC V6G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S12KC R7G

S12KC R7G

Описание: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S12GR

S12GR

Описание: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S12JR

S12JR

Описание: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
S12D

S12D

Описание: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
S12KC M6G

S12KC M6G

Описание: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S12JC V6G

S12JC V6G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S12GC V7G

S12GC V7G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S12GC M6G

S12GC M6G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти