Главная > Продукты > Интегрированные цепи (ICS) > Память > 70V28L25PF
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5247601

70V28L25PF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    70V28L25PF
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Содержит несоответствие свинца / RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Время цикла записи - слово, страница
    25ns
  • Напряжение тока - поставка
    3 V ~ 3.6 V
  • Технологии
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Поставщик Упаковка устройства
    100-TQFP (14x14)
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tray
  • Упаковка /
    100-LQFP
  • Рабочая Температура
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    1Mb (64K x 16)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    SRAM
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Подробное описание
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 25ns 100-TQFP (14x14)
  • Время доступа
    25ns
70V28L20PF8

70V28L20PF8

Описание: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V3319S133BC8

70V3319S133BC8

Описание: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V28L15PFI8/2703

70V28L15PFI8/2703

Описание: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V28VL15PF

70V28VL15PF

Описание: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V3319S133BCI8

70V3319S133BCI8

Описание: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V28L25PF8

70V28L25PF8

Описание: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V28VL20PF

70V28VL20PF

Описание: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V28VL15PF8

70V28VL15PF8

Описание: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V28L20PFI8

70V28L20PFI8

Описание: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V3319S133BCGI

70V3319S133BCGI

Описание: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V28L20PFGI8

70V28L20PFGI8

Описание: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V28L15PFI8

70V28L15PFI8

Описание: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V28L20PF

70V28L20PF

Описание: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V3319S133BCI

70V3319S133BCI

Описание: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V28L20PFGI

70V28L20PFGI

Описание: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V28L20PFG8

70V28L20PFG8

Описание: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V28VL20PF8

70V28VL20PF8

Описание: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V28L20PFI

70V28L20PFI

Описание: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V28L20PFG

70V28L20PFG

Описание: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
70V3319S133BC

70V3319S133BC

Описание: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти