Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPB090N06N3GATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
86841IPB090N06N3GATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB090N06N3GATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1000+
$0.539
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPB090N06N3GATMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 34µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    D²PAK (TO-263AB)
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    71W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Другие названия
    IPB090N06N3 G
    IPB090N06N3 G-ND
    IPB090N06N3 GTR-ND
    IPB090N06N3G
    IPB090N06N3GATMA1TR
    SP000398042
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    2900pF @ 30V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    N-Channel 60V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    50A (Tc)
IPB08CN10N G

IPB08CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N04S204ATMA4

IPB100N04S204ATMA4

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB080N06N G

IPB080N06N G

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N04S204ATMA1

IPB100N04S204ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N04S2L03ATMA1

IPB100N04S2L03ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB09N03LA

IPB09N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N04S2L03ATMA2

IPB100N04S2L03ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB09N03LA G

IPB09N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB096N03LGATMA1

IPB096N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB085N06L G

IPB085N06L G

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Описание: MV POWER MOS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

Описание: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G

Описание: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB093N04LGATMA1

IPB093N04LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти