Главная > Продукты > Интегрированные цепи (ICS) > Линейный - усилители - приборостроение, ОУ, буфер > BA8522RFVM-TR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2372484BA8522RFVM-TR Image.LAPIS Semiconductor

BA8522RFVM-TR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.97
10+
$0.862
25+
$0.779
100+
$0.681
250+
$0.598
500+
$0.528
1000+
$0.417
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    BA8522RFVM-TR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC OPAMP GP 6MHZ 8MSOP
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение питания, одно / двойное (±)
    4 V ~ 32 V, ±2 V ~ 16 V
  • Напряжение - Входное напряжение смещения
    100µV
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-MSOP
  • Скорость нарастания выходного напряжения
    3 V/µs
  • Серии
    -
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
  • Тип выхода
    -
  • Другие названия
    BA8522RFVM-CT
    BA8522RFVM-CT-ND
    BA8522RFVMCT
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 105°C
  • Количество контуров
    2
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    7 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Коэффициент усиления пропускной способности продукта
    6MHz
  • Подробное описание
    General Purpose Amplifier 2 Circuit 8-MSOP
  • Текущий - Поставка
    5.5mA
  • Ток - выход / канал
    50mA
  • Ток - Входное напряжение смещения
    50nA
  • Номер базового номера
    BA8522R
  • Тип усилителя
    General Purpose
BA8522RFV-E2

BA8522RFV-E2

Описание: IC OPAMP GP 6MHZ 8SSOPB

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
BA82904YFVM-CTR

BA82904YFVM-CTR

Описание: EXCELLENT EMI CHARACTERISTICS GR

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
BA82902YFV-CE2

BA82902YFV-CE2

Описание: AUTOMOTIVE INTEGRATED EMI FILTER

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
BA82902YFJ-CE2

BA82902YFJ-CE2

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
BA892H6770XTSA1

BA892H6770XTSA1

Описание: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BA885E6327HTSA1

BA885E6327HTSA1

Описание: DIODE RF SW 50V 50MA SOT-23

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BA89202VH6327XTSA1

BA89202VH6327XTSA1

Описание: DIODE RF SW 35V 100MA SC79

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BA82902YF-CE2

BA82902YF-CE2

Описание: AUTOMOTIVE INTEGRATED EMI FILTER

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
BA891,115

BA891,115

Описание: DIODE SWITCH BAND 35V SOD-523

Производители: NXP Semiconductors / Freescale
Быть в наличии
BA82902YFVJ-CE2

BA82902YFVJ-CE2

Описание: AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
BA892H6127XTSA1

BA892H6127XTSA1

Описание: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BA829

BA829

Описание: IC DRIVER SER/PAR I/O 8BIT DIP18

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
BA89202VH6433XTMA1

BA89202VH6433XTMA1

Описание: DIODE RF SW 35V 100MA SC79

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BA892H6327XTSA1

BA892H6327XTSA1

Описание: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BA82904YF-CE2

BA82904YF-CE2

Описание: AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
BA8391G-TR

BA8391G-TR

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
BA89202VH6127XTSA1

BA89202VH6127XTSA1

Описание:

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BA892H6433XTMA1

BA892H6433XTMA1

Описание: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BA885E7631HTMA1

BA885E7631HTMA1

Описание: DIODE RF SOT23

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BA8522RF-E2

BA8522RF-E2

Описание: IC OPAMP GP 6MHZ 8SOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти