Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы > FMY1AT148
Онлайн - запрос
русский
1539722FMY1AT148 Image.LAPIS Semiconductor

FMY1AT148

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
5+
$0.063
50+
$0.062
150+
$0.061
500+
$0.06
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    FMY1AT148
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
  • Тип транзистор
    NPN, PNP (Emitter Coupled)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SMT5
  • Серии
    -
  • Мощность - Макс
    300mW
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    SC-74A, SOT-753
  • Другие названия
    FMY1AT148CT
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    10 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    180MHz, 140MHz
  • Подробное описание
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 180MHz, 140MHz 300mW Surface Mount SMT5
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 6V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    150mA
  • Номер базового номера
    *MY1
ULN2074B

ULN2074B

Описание: TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP

Производители: STMicroelectronics
Быть в наличии
FMY-1036S

FMY-1036S

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A TO220F-2L

Производители: Sanken Electric Co., Ltd.
Быть в наличии
BC847PNQ-7-F

BC847PNQ-7-F

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
JANTXV2N2919

JANTXV2N2919

Описание: TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

Производители: Microsemi
Быть в наличии
MMDT2227-7

MMDT2227-7

Описание: TRANS NPN/PNP 40V/60V SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
FMY4AT148

FMY4AT148

Описание: TRANS NPN/PNP DARL 50V 5SMT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
SLA4071

SLA4071

Описание: TRANS 4PNP DARL 100V 5A 12SIP

Производители: Sanken Electric Co., Ltd.
Быть в наличии
PMP4201Y,115

PMP4201Y,115

Описание:

Производители: Nexperia
Быть в наличии
STA401A

STA401A

Описание: TRANS 4NPN DARL 60V 4A 10SIP

Производители: Sanken Electric Co., Ltd.
Быть в наличии
ZXTD618MCTA

ZXTD618MCTA

Описание: TRANS 2NPN 20V 4.5A 8DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
2N4854

2N4854

Описание: TRANSISTOR DUAL TO78

Производители: Central Semiconductor
Быть в наличии
BCM846SE6327HTSA1

BCM846SE6327HTSA1

Описание: TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
FMY5T148

FMY5T148

Описание: TRANS NPN/PNP 120V 0.05A 5SMT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
FFB2222A

FFB2222A

Описание: TRANS 2NPN 40V 0.5A SC70-6

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
PBSS2515VS,115

PBSS2515VS,115

Описание: TRANS 2NPN 15V 0.5A SOT666

Производители: Nexperia
Быть в наличии
FMY-1106S

FMY-1106S

Описание: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

Производители: Sanken Electric Co., Ltd.
Быть в наличии
NSS40300DDR2G

NSS40300DDR2G

Описание: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FMY6T148

FMY6T148

Описание: TRANS NPN/PNP 32V 0.05A 5SMT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
HN4A56JU(TE85L,F)

HN4A56JU(TE85L,F)

Описание: TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
ZDT617TC

ZDT617TC

Описание: TRANS 2NPN 15V 3A SM8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии

Review (1)

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти