Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы > IMZ1AT108
Онлайн - запрос
русский
5178124IMZ1AT108 Image.LAPIS Semiconductor

IMZ1AT108

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
10+
$0.063
100+
$0.051
300+
$0.045
3000+
$0.036
6000+
$0.032
9000+
$0.03
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IMZ1AT108
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
  • Тип транзистор
    NPN, PNP
  • Поставщик Упаковка устройства
    SMT6
  • Серии
    -
  • Мощность - Макс
    300mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    SC-74, SOT-457
  • Другие названия
    IMZ1AT108TR
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    10 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    180MHz, 140MHz
  • Подробное описание
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 6V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    150mA
  • Номер базового номера
    *MZ1
DME20B010R

DME20B010R

Описание: TRANS NPN/PNP DARL 50V MINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
IMZ2AT108

IMZ2AT108

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
BC856BS,115

BC856BS,115

Описание:

Производители: Nexperia
Быть в наличии
ULN2002AS16-13

ULN2002AS16-13

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
CMLT2222AG TR

CMLT2222AG TR

Описание: TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT563

Производители: Central Semiconductor
Быть в наличии
ZXT12N50DXTA

ZXT12N50DXTA

Описание: TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMC205C00R

DMC205C00R

Описание: TRANS 2NPN 100V 0.02A MINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
IMZ4T108

IMZ4T108

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
BC846BS/ZLX

BC846BS/ZLX

Описание: TRANS 2NPN 65V 0.1A 6TSSOP

Производители: Nexperia
Быть в наличии
SLA4052

SLA4052

Описание: TRANS 9NPN DARL 120V 3A 21SIP

Производители: Sanken Electric Co., Ltd.
Быть в наличии
BC847SE6433BTMA1

BC847SE6433BTMA1

Описание: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
EMX2DXV6T5G

EMX2DXV6T5G

Описание: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
ULN2004ADRE4

ULN2004ADRE4

Описание: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC

Производители: Luminary Micro / Texas Instruments
Быть в наличии
DMC205010R

DMC205010R

Описание: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
EMZ2T2R

EMZ2T2R

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
MMDT4124-7-F

MMDT4124-7-F

Описание: TRANS 2NPN 25V 0.2A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
MMDT4413-7

MMDT4413-7

Описание: TRANS NPN/PNP 40V 0.6A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
NSVT65010MW6T1G

NSVT65010MW6T1G

Описание:

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MD2369A

MD2369A

Описание: TRANS 2NPN 40V 0.5A TO-78

Производители: Central Semiconductor
Быть в наличии
HN1A01F-GR(TE85L,F

HN1A01F-GR(TE85L,F

Описание: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии

Review (1)

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти