Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы > MP6Z13TR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5617125MP6Z13TR Image.LAPIS Semiconductor

MP6Z13TR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    MP6Z13TR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A
  • Тип транзистор
    NPN, PNP
  • Поставщик Упаковка устройства
    MPT6
  • Серии
    -
  • Мощность - Макс
    2W
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    6-SMD, Flat Leads
  • Другие названия
    Q6052732
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    320MHz, 300MHz
  • Подробное описание
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 3A 320MHz, 300MHz 2W Surface Mount MPT6
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    180 @ 50mA, 3V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    1µA (ICBO)
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    3A
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
MP6KE82A

MP6KE82A

Описание: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Описание: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Описание: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Описание: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE91A

MP6KE91A

Описание: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Описание: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Описание: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Описание: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Описание: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6M14TCR

MP6M14TCR

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
MP6M12TCR

MP6M12TCR

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Описание: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Описание: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Описание: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Описание: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Описание: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Описание: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Описание: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Описание: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти