Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Диоды - выпрямители - сингл > RFN2LAM4STR
RFQs/ORDER (0)
русский
2238438RFN2LAM4STR Image.LAPIS Semiconductor

RFN2LAM4STR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.176
6000+
$0.164
15000+
$0.153
30000+
$0.145
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RFN2LAM4STR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если
    1.2V @ 1.5A
  • Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)
    400V
  • Поставщик Упаковка устройства
    PMDTM
  • скорость
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серии
    -
  • Обратное время восстановления (ТИР)
    30ns
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    SOD-128
  • Другие названия
    RFN2LAM4STRTR
  • Рабочая температура - Соединение
    150°C (Max)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    20 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Диод Тип
    Standard
  • Подробное описание
    Diode Standard 400V 1.5A Surface Mount PMDTM
  • Ток - Обратный утечки @ Vr
    1µA @ 400V
  • Текущий - средний выпрямленный (Io)
    1.5A
  • Емкостной @ В.Р., F
    -
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Описание: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Описание: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN20TF6S

RFN20TF6S

Описание: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN20NS4SFHTL

RFN20NS4SFHTL

Описание: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

Описание: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN20NS3SFHTL

RFN20NS3SFHTL

Описание: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

Описание: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Описание: DIODE GEN PURPOSE CPD

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN1LAM7STR

RFN1LAM7STR

Описание: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

Описание: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Описание: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN30TS6DGC11

RFN30TS6DGC11

Описание: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Описание: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Описание: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Описание: DIODE GEN PURPOSE CPD

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии

Review (1)

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти