Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > RTL020P02FRATR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
310681RTL020P02FRATR Image.LAPIS Semiconductor

RTL020P02FRATR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.152
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RTL020P02FRATR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    2.5V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPON
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (макс.)
    ±12V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TUMT6
  • Серии
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    135 mOhm @ 2A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1W (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    6-SMD, Flat Leads
  • Рабочая Температура
    150°C
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    10 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    430pF @ 10V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    4.9nC @ 4.5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    20V
  • Подробное описание
    P-Channel 20V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    2A (Ta)
RTL-ARM

RTL-ARM

Описание: REALVIEW REAL-TIME LIBRARY KIT

Производители: ARM
Быть в наличии
RTLTE-300-W-AT

RTLTE-300-W-AT

Описание: LTE CELL ROUTER

Производители: B+B SmartWorx, Inc.
Быть в наличии
RTL020P02TR

RTL020P02TR

Описание: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RTL035N03TR

RTL035N03TR

Описание: MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RTL035N03FRATR

RTL035N03FRATR

Описание: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RTLTE-300-W-VZ

RTLTE-300-W-VZ

Описание: LTE CELL ROUTER 1ETN 2SIM WIFI

Производители: B+B SmartWorx, Inc.
Быть в наличии
RTLTE-302-VZ

RTLTE-302-VZ

Описание: LTE CELL ROUTER 1ETN 2SIM 1RS232

Производители: B+B SmartWorx, Inc.
Быть в наличии
RTLTE-304-W-VZ

RTLTE-304-W-VZ

Описание: WI-FI UMTS/EDVO ROUTER VERIZON

Производители: B+B SmartWorx, Inc.
Быть в наличии
RTL030P02TR

RTL030P02TR

Описание: MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RTLTE-310-AT

RTLTE-310-AT

Описание: LTE CELL ROUTER

Производители: B+B SmartWorx, Inc.
Быть в наличии
RTLTE-304-W-AT

RTLTE-304-W-AT

Описание: WI-FI UMTS/EDVO ROUTER ATT

Производители: B+B SmartWorx, Inc.
Быть в наличии
RTLTE-300-AT

RTLTE-300-AT

Описание: LTE CELL ROUTER

Производители: B+B SmartWorx, Inc.
Быть в наличии
RTLTE-302-AT

RTLTE-302-AT

Описание: LTE CELL ROUTER

Производители: B+B SmartWorx, Inc.
Быть в наличии
RTLTE-300-VZ

RTLTE-300-VZ

Описание: LTE CELL ROUTER 1ETN 1USB 2SIM

Производители: B+B SmartWorx, Inc.
Быть в наличии
RTLTE-310-W-VZ

RTLTE-310-W-VZ

Описание: LTE CELL ROUTER 2ETN 2SIM WIFI

Производители: B+B SmartWorx, Inc.
Быть в наличии
RTLTE-310-W-AT

RTLTE-310-W-AT

Описание: LTE CELL ROUTER

Производители: B+B SmartWorx, Inc.
Быть в наличии
RTLTE-304-VZ

RTLTE-304-VZ

Описание: LTE CELL ROUTER 1ETN 1RS485 WIFI

Производители: B+B SmartWorx, Inc.
Быть в наличии
RTLTE-311-AT

RTLTE-311-AT

Описание: LTE CELL ROUTER

Производители: B+B SmartWorx, Inc.
Быть в наличии
RTLTE-304-AT

RTLTE-304-AT

Описание: LTE CELL ROUTER

Производители: B+B SmartWorx, Inc.
Быть в наличии
RTL25A

RTL25A

Описание: TEST LEAD BANANA TO PROBE

Производители: Amprobe
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти