Главная > Продукты > Интегрированные цепи (ICS) > Память > MT41K256M16V90BWC1
RFQs/ORDER (0)
русский
2183408

MT41K256M16V90BWC1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$11.63
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    MT41K256M16V90BWC1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC DRAM 4G PARALLEL DIE
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Модель ECAD
  • Время цикла записи - слово, страница
    -
  • Напряжение тока - поставка
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Технологии
    SDRAM - DDR3L
  • Серии
    -
  • Рабочая Температура
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    4Gb (256M x 16)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    DRAM
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel
MT41K256M16TW-125:P

MT41K256M16TW-125:P

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M4DA-107:J

MT41K256M4DA-107:J

Описание: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR

MT41K256M8DA-107 AAT:K TR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M16TW-107 V:P TR

MT41K256M16TW-107 V:P TR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M16V00HWC1-N001

MT41K256M16V00HWC1-N001

Описание: DDR3 4G DIE 256MX16

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M4JP-125:G

MT41K256M4JP-125:G

Описание: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M8DA-107 IT:K TR

MT41K256M8DA-107 IT:K TR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M16TW-107 V:P

MT41K256M16TW-107 V:P

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M16TW-107 XIT:P

MT41K256M16TW-107 XIT:P

Описание:

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M16TW-107:P TR

MT41K256M16TW-107:P TR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M16V80AWC1

MT41K256M16V80AWC1

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M4JP-15E:G

MT41K256M4JP-15E:G

Описание: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M4DA-107:J TR

MT41K256M4DA-107:J TR

Описание: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M8DA-107:K

MT41K256M8DA-107:K

Описание:

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M4JP-15E:G TR

MT41K256M4JP-15E:G TR

Описание: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M8DA-107 AAT:K

MT41K256M8DA-107 AAT:K

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW-107:P

Описание:

Производители: MICRON
Быть в наличии
MT41K256M16V00HWC1

MT41K256M16V00HWC1

Описание: IC FLASH NAND 32GX8 TSOP

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M8DA-107 IT:K

MT41K256M8DA-107 IT:K

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти