Главная > Продукты > Интегрированные цепи (ICS) > Память > N2M400HDB321A3CF
Онлайн - запрос
русский
2656979

N2M400HDB321A3CF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
588+
$40.572
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    N2M400HDB321A3CF
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Модель ECAD
  • Время цикла записи - слово, страница
    -
  • Напряжение тока - поставка
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Технологии
    FLASH - NAND
  • Поставщик Упаковка устройства
    100-LBGA (14x18)
  • Серии
    -
  • упаковка
    Bulk
  • Упаковка /
    100-LBGA
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Non-Volatile
  • Размер памяти
    128Gb (16G x 8)
  • Интерфейс памяти
    MMC
  • Формат памяти
    FLASH
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    FLASH - NAND Memory IC 128Gb (16G x 8) MMC 52MHz 100-LBGA (14x18)
  • Тактовая частота
    52MHz
  • Номер базового номера
    N2M400
71V2556S133PFG8

71V2556S133PFG8

Описание: IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
AT27LV256A-55RI

AT27LV256A-55RI

Описание: IC EPROM 256K PARALLEL 28SOIC

Производители: Micrel / Microchip Technology
Быть в наличии
N2M400JDB341A3CF

N2M400JDB341A3CF

Описание: IC FLASH 256G MMC 52MHZ 100LBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT48H4M16LFB4-8 TR

MT48H4M16LFB4-8 TR

Описание: IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR

MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR

Описание: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR

MT40A512M8RH-083E AIT:B TR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
M36W0R6050U4ZSF TR

M36W0R6050U4ZSF TR

Описание: IC FLASH PSRAM 96M

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
N2M400HDB321A3CE

N2M400HDB321A3CE

Описание: IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT46H128M16LFCK-5 IT:A

MT46H128M16LFCK-5 IT:A

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
93AA66CT-I/MS

93AA66CT-I/MS

Описание: IC EEPROM 4K SPI 3MHZ 8MSOP

Производители: Micrel / Microchip Technology
Быть в наличии
S29GL512P10TFI020

S29GL512P10TFI020

Описание: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

Производители: Cypress Semiconductor
Быть в наличии
STK11C68-5K45M

STK11C68-5K45M

Описание: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP

Производители: Cypress Semiconductor
Быть в наличии
N2M400GDB321A3CF TR

N2M400GDB321A3CF TR

Описание: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
7134LA70L48B

7134LA70L48B

Описание: IC SRAM 32K PARALLEL 48LCC

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
N2M400FDB311A3CF TR

N2M400FDB311A3CF TR

Описание: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
AT25DF321A-SH-T-AD

AT25DF321A-SH-T-AD

Описание: BIOS FLASH

Производители: Adesto Technologies
Быть в наличии
S25FL512SAGMFVG13

S25FL512SAGMFVG13

Описание: IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC

Производители: Cypress Semiconductor
Быть в наличии
N2M400GDB321A3CE

N2M400GDB321A3CE

Описание: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
N2M400FDB311A3CE

N2M400FDB311A3CE

Описание: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
CY7C1415KV18-250BZCT

CY7C1415KV18-250BZCT

Описание: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Производители: Cypress Semiconductor
Быть в наличии

Review (1)

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти