Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APT84M50L
Онлайн - запрос
русский
6654925APT84M50L Image.Microsemi

APT84M50L

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$22.37
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    APT84M50L
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (макс.)
    ±30V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-264
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65 mOhm @ 42A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1135W (Tc)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-264-3, TO-264AA
  • Другие названия
    APT84M50LMI
    APT84M50LMI-ND
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    13500pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    340nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    500V
  • Подробное описание
    N-Channel 500V 84A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    84A (Tc)
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Описание: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Описание: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT80SM120J

APT80SM120J

Описание: POWER MOSFET - SIC

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT84F50B2

APT84F50B2

Описание: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT80SM120S

APT80SM120S

Описание: POWER MOSFET - SIC

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Описание: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT80SM120B

APT80SM120B

Описание: POWER MOSFET - SIC

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT84M50B2

APT84M50B2

Описание: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT84F50L

APT84F50L

Описание: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT80GA90B

APT80GA90B

Описание: IGBT 900V 145A 625W TO247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT80M60J

APT80M60J

Описание: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Описание: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Описание: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT80GP60J

APT80GP60J

Описание: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT8M80K

APT8M80K

Описание: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Описание: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Описание: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT8M100B

APT8M100B

Описание: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT85GR120L

APT85GR120L

Описание: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT85GR120J

APT85GR120J

Описание: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Производители: Microsemi
Быть в наличии

Review (1)

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти