A2G35S200-01SR3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

250+

$123.436

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

A2G35S200-01SR3
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
Спецификация

A2G35S200-01SR3.pdf
Модель ECAD
Напряжение - испытания

48V
Напряжение - Номинальный

125V
Тип транзистор

LDMOS
Поставщик Упаковка устройства

NI-400S-2S
Серии

-
Выходная мощность

180W
Упаковка /

NI-400S-2S
Другие названия

935320919118
Коэффициент шума

-
Усиление

16.1dB
частота

3.4GHz ~ 3.6GHz
Подробное описание

RF Mosfet LDMOS 48V 291mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 16.1dB 180W NI-400S-2S
Текущий рейтинг

-
Ток - Тест

291mA

Связанные новости
Перевозка
Способы оплаты

Мы установили долгосрочные партнерские отношения с крупными поставщиками глобальной логистики, предлагая гибкие и эффективные решения для доставки, адаптированные к вашим уникальным потребностям.В зависимости от размера, веса и пункта назначения вашего заказа, мы выбираем наиболее подходящего перевозчика.Мы также предоставляем услуги отслеживания логистики в реальном времени, позволяя клиентам понимать местоположение и статус своих товаров в любое время. Если у вас есть конкретные международные маршруты доставки или назначенный экспедитор, свяжитесь с нашей командой по продажам-мы рады удовлетворить ваши требования.

Мы поддерживаем несколько методов оплаты, включая кредитные карты, проводные переводы и другие варианты, и принимаем большинство валют.Для заказов, размещенных в долларах США, доступны дополнительные варианты оплаты.Для получения более подробной информации о методах и процедурах оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам.

Ниже приведены продукты, связанные с A2G35S200-01SR3.

A2G26H281-04SR3

Описание: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Производители: NXP Semiconductors / Freescale

Быть в наличии

A2G35S200-01SR3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Embedded World 2025: Innovations in Automotive and Embedded...

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык