Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы > DMG504010R
Онлайн - запрос
русский
6755056DMG504010R Image.Panasonic

DMG504010R

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.108
6000+
$0.101
15000+
$0.095
30000+
$0.087
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMG504010R
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
  • Тип транзистор
    NPN, PNP
  • Поставщик Упаковка устройства
    SMini6-F3-B
  • Серии
    -
  • Мощность - Макс
    150mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    6-SMD, Flat Leads
  • Другие названия
    DMG504010RTR
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    11 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    150MHz
  • Подробное описание
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini6-F3-B
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    210 @ 2mA, 10V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    100µA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
  • Номер базового номера
    DMG50401
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Описание: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG563H40R

DMG563H40R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Описание: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Описание: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG564040R

DMG564040R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG563H10R

DMG563H10R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG563H50R

DMG563H50R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Описание: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Описание: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG564050R

DMG564050R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG563020R

DMG563020R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG564060R

DMG564060R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Описание: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG564030R

DMG564030R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG563010R

DMG563010R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG564010R

DMG564010R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии

Review (1)

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти