Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Диоды - выпрямители - сингл > RS1DTR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2453918RS1DTR Image.Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

RS1DTR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
120000+
$0.015
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RS1DTR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если
    1.3V @ 1A
  • Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)
    200V
  • Поставщик Упаковка устройства
    SMA
  • скорость
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серии
    -
  • Обратное время восстановления (ТИР)
    150ns
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    DO-214AC, SMA
  • Другие названия
    RS1DTRSMC
  • Рабочая температура - Соединение
    -65°C ~ 150°C
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    6 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Диод Тип
    Standard
  • Подробное описание
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount SMA
  • Ток - Обратный утечки @ Vr
    5µA @ 200V
  • Текущий - средний выпрямленный (Io)
    1A
  • Емкостной @ В.Р., F
    15pF @ 4V, 1MHz
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

Описание: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Описание: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Описание: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Описание: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Описание: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Описание: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Описание: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

Описание: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Описание: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти