Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Диоды - выпрямители - сингл > ES2J R5G
Онлайн - запрос
русский
2108696ES2J R5G Image.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES2J R5G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.55
10+
$0.434
100+
$0.298
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    ES2J R5G
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если
    1.7V @ 2A
  • Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)
    600V
  • Поставщик Упаковка устройства
    DO-214AA (SMB)
  • скорость
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серии
    -
  • Обратное время восстановления (ТИР)
    35ns
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    DO-214AA, SMB
  • Другие названия
    ES2J R5GCT
    ES2J R5GCT-ND
    ES2JR5GCT
  • Рабочая температура - Соединение
    -55°C ~ 150°C
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    20 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Диод Тип
    Standard
  • Подробное описание
    Diode Standard 600V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Ток - Обратный утечки @ Vr
    10µA @ 600V
  • Текущий - средний выпрямленный (Io)
    2A
  • Емкостной @ В.Р., F
    20pF @ 4V, 1MHz
ES2GHE3_A/I

ES2GHE3_A/I

Описание: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
ES2GHM4G

ES2GHM4G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
ES2LDHM4G

ES2LDHM4G

Описание: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
ES2JA R3G

ES2JA R3G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
ES2J-LTP

ES2J-LTP

Описание:

Производители: MCC
Быть в наличии
ES2J M4G

ES2J M4G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
ES2LD R5G

ES2LD R5G

Описание: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
ES2JTR

ES2JTR

Описание: DIODE GEN PURP 600V 2A SMA

Производители: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Быть в наличии
ES2GTR

ES2GTR

Описание: DIODE GEN PURP 400V 2A SMA

Производители: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Быть в наличии
ES2JAHR3G

ES2JAHR3G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
ES2GHR5G

ES2GHR5G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
ES2JAHM2G

ES2JAHM2G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
ES2GHE3/52T

ES2GHE3/52T

Описание: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
ES2HA R3G

ES2HA R3G

Описание: DIODE GEN PURP 500V 2A DO214AC

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
ES2LDHR5G

ES2LDHR5G

Описание: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
ES2GHE3/5BT

ES2GHE3/5BT

Описание: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
ES2HR5G

ES2HR5G

Описание: DIODE GEN PURP 500V 2A DO214AA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
ES2JHR5G

ES2JHR5G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
ES2JHM4G

ES2JHM4G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
ES2GHE3_A/H

ES2GHE3_A/H

Описание:

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Review (1)

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти