Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Диоды - выпрямители - сингл > S3JB R5G
RFQs/ORDER (0)
русский
5049999S3JB R5G Image.TSC (Taiwan Semiconductor)

S3JB R5G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
850+
$0.124
1700+
$0.113
2550+
$0.101
5950+
$0.096
21250+
$0.087
42500+
$0.082
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    S3JB R5G
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если
    1.15V @ 3A
  • Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)
    600V
  • Поставщик Упаковка устройства
    DO-214AA (SMB)
  • скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Серии
    -
  • Обратное время восстановления (ТИР)
    1.5µs
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    DO-214AA, SMB
  • Другие названия
    S3JB R5GTR
    S3JB R5GTR-ND
    S3JBR5GTR
  • Рабочая температура - Соединение
    -55°C ~ 150°C
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    20 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Диод Тип
    Standard
  • Подробное описание
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Ток - Обратный утечки @ Vr
    10µA @ 600V
  • Текущий - средний выпрямленный (Io)
    3A
  • Емкостной @ В.Р., F
    40pF @ 4V, 1MHz
S3JHE3/57T

S3JHE3/57T

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
S3JHE3_A/I

S3JHE3_A/I

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
S3J-13-F

S3J-13-F

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
S3J V7G

S3J V7G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S3JHE3/9AT

S3JHE3/9AT

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
S3JB-13

S3JB-13

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
S3JHE3_A/H

S3JHE3_A/H

Описание:

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
S3J-13

S3J-13

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
S3J-M3/9AT

S3J-M3/9AT

Описание: DIODE GPP 3A 600V DO-214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
S3J-E3/57T

S3J-E3/57T

Описание:

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
S3J-M3/57T

S3J-M3/57T

Описание: DIODE GPP 3A 600V DO-214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
S3JB-TP

S3JB-TP

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Производители: Micro Commercial Components (MCC)
Быть в наличии
S3JB-13-F

S3JB-13-F

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
S3J-E3/9AT

S3J-E3/9AT

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
S3JBHR5G

S3JBHR5G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S3J-TP

S3J-TP

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Производители: Micro Commercial Components (MCC)
Быть в наличии
S3JHR7G

S3JHR7G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S3JB M4G

S3JB M4G

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
S3JBTR

S3JBTR

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Производители: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Быть в наличии
S3JB

S3JB

Описание:

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии

Review (1)

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти