Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > 3SK292(TE85R,F)
RFQs/ORDER (0)
русский
14131503SK292(TE85R,F) Image.Toshiba Semiconductor and Storage

3SK292(TE85R,F)

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    3SK292(TE85R,F)
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - испытания
    6V
  • Напряжение - Номинальный
    12.5V
  • Тип транзистор
    N-Channel Dual Gate
  • Поставщик Упаковка устройства
    SMQ
  • Серии
    -
  • Выходная мощность
    -
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    SC-61AA
  • Другие названия
    3SK292 (TE85R,F)
    3SK292(TE85RF)TR
  • Коэффициент шума
    1.4dB
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Усиление
    26dB
  • частота
    500MHz
  • Подробное описание
    RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 500MHz 26dB SMQ
  • Текущий рейтинг
    30mA
  • Ток - Тест
    10mA
3SK293(TE85L,F)

3SK293(TE85L,F)

Описание: FET RF 12.5V 800MHZ USQ

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
3SK294(TE85L,F)

3SK294(TE85L,F)

Описание: FET RF 12.5V 500MHZ USQ

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
MRF8S21120HR3

MRF8S21120HR3

Описание: FET RF 65V 2.17GHZ NI780H

Производители: NXP Semiconductors / Freescale
Быть в наличии
BLP05H6350XRY

BLP05H6350XRY

Описание: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232

Производители: Ampleon
Быть в наличии
BLM8D1822S-50PBGY

BLM8D1822S-50PBGY

Описание: RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOP

Производители: Ampleon
Быть в наличии
BLP10H603Z

BLP10H603Z

Описание: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

Производители: Ampleon
Быть в наличии
MAGX-000035-09000P

MAGX-000035-09000P

Описание: FET RF 65V 3.5GHZ 14DFN

Производители: Aeroflex (MACOM Technology Solutions)
Быть в наличии
BF 5020 E6327

BF 5020 E6327

Описание: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BLF25M612G,118

BLF25M612G,118

Описание: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C

Производители: Ampleon
Быть в наличии
BLC6G27-100,118

BLC6G27-100,118

Описание: RF FET 28V SOT895A

Производители: Ampleon
Быть в наличии
3SK291(TE85L,F)

3SK291(TE85L,F)

Описание: MOSFET N-CH SMQ

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
3SK263-5-TG-E

3SK263-5-TG-E

Описание: FET RF 15V 200MHZ CP4

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MRF7S16150HSR3

MRF7S16150HSR3

Описание: FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S

Производители: NXP Semiconductors / Freescale
Быть в наличии
3SK264-5-TG-E

3SK264-5-TG-E

Описание: FET RF 15V 200MHZ CP4

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMRF1022HSR5

MMRF1022HSR5

Описание: FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230S-4

Производители: NXP Semiconductors / Freescale
Быть в наличии
BF244A

BF244A

Описание: JFET N-CH 30V 50MA TO92

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
IXZR16N60

IXZR16N60

Описание: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Производители: IXYS RF
Быть в наличии
SD2941-10RW

SD2941-10RW

Описание: IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174

Производители: STMicroelectronics
Быть в наличии
ATF-38143-TR1G

ATF-38143-TR1G

Описание: IC PHEMT 1.9GHZ 4.5V 10MA SOT343

Производители: Avago Technologies (Broadcom Limited)
Быть в наличии
PTFB212507SHV1R250XTMA1

PTFB212507SHV1R250XTMA1

Описание: IC AMP RF LDMOS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Review (1)

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти