RN1102MFV,L3F

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

10+

$0.049

100+

$0.038

300+

$0.033

1000+

$0.029

5000+

$0.026

8000+

$0.024

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

RN1102MFV,L3F
Изготовитель / Производитель

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Количество запасов

Быть в наличии
Описание
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

RN1102MFV,L3F.pdf
Модель ECAD
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA
Тип транзистор

NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства

VESM
Серии

-
Резистор - основание эмиттера (R2)

10 kOhms
Резистор - основание (R1)

10 kOhms
Мощность - Макс

150mW
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

SOT-723
Другие названия

RN1102MFV(TL3T)CT
RN1102MFV(TL3T)CT-ND
RN1102MFVL3F(BCT
RN1102MFVL3F(BCT-ND
RN1102MFVL3FCT
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

16 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Подробное описание

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)

500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

100mA

Связанные новости
Перевозка
Способы оплаты

Мы установили долгосрочные партнерские отношения с крупными поставщиками глобальной логистики, предлагая гибкие и эффективные решения для доставки, адаптированные к вашим уникальным потребностям.В зависимости от размера, веса и пункта назначения вашего заказа, мы выбираем наиболее подходящего перевозчика.Мы также предоставляем услуги отслеживания логистики в реальном времени, позволяя клиентам понимать местоположение и статус своих товаров в любое время. Если у вас есть конкретные международные маршруты доставки или назначенный экспедитор, свяжитесь с нашей командой по продажам-мы рады удовлетворить ваши требования.

Мы поддерживаем несколько методов оплаты, включая кредитные карты, проводные переводы и другие варианты, и принимаем большинство валют.Для заказов, размещенных в долларах США, доступны дополнительные варианты оплаты.Для получения более подробной информации о методах и процедурах оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам.

Ниже приведены продукты, связанные с RN1102MFV,L3F.

RN1104MFV,L3F

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage

Быть в наличии

RN1102MFV,L3F

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

SENSOR+TEST 2025 A Global Stage for Innovation in Sensor an...

Индийское производство чипов ст...

PCIM Europe 2025 Highlights

OEM -бизнес Samsung снова пострадает, ...

TI introduces latest innovations in edge AI, automotive and...

Полу: 1 Q1 Глобальные поставки кре...

Полу: глобальный доход от рынка ...

Плотность дефектов TSMC 2-го проце...

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

Контрпункт: К 2024 году глобальная...

Чип TSMC 2NM будет производиться во ...

Сильный спрос на аналоговые чип...

Выберите язык

Текущий язык