Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл, заранее пр > RN1119MFV,L3F
RFQs/ORDER (0)
русский
748816

RN1119MFV,L3F

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
8000+
$0.029
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RN1119MFV,L3F
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Тип транзистор
    NPN - Pre-Biased
  • Поставщик Упаковка устройства
    VESM
  • Серии
    -
  • Резистор - основание (R1)
    1 kOhms
  • Мощность - Макс
    150mW
  • Упаковка /
    SOT-723
  • Другие названия
    RN1119MFVL3F
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
RN1115,LF(CT

RN1115,LF(CT

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1117(T5L,F,T)

RN1117(T5L,F,T)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

Описание: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

Описание: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN112-0.5-02

RN112-0.5-02

Описание: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN112-0.4-02-27M

RN112-0.4-02-27M

Описание: CMC 27MH 400MA 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN112-0.4-02-39M

RN112-0.4-02-39M

Описание: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN112-0.6-02

RN112-0.6-02

Описание: CMC 15MH 600MA 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN112-0.6-02-15M

RN112-0.6-02-15M

Описание: CMC 15MH 600MA 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

Описание: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN112-0.5-02-27M

RN112-0.5-02-27M

Описание: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN1117MFV,L3F

RN1117MFV,L3F

Описание: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1115MFV,L3F

RN1115MFV,L3F

Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN111PC

RN111PC

Описание: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

Производители: Conxall / Switchcraft
Быть в наличии
RN112-0.4-02

RN112-0.4-02

Описание: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN112-0.5-02-18M

RN112-0.5-02-18M

Описание: CMC 18MH 500MA 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN112-0.5-02-15M

RN112-0.5-02-15M

Описание: CMC 15MH 500MA 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии

Review (1)

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти