|
SiTime
|
OSC MEMS 25.0000MHZ LVCMOS SMD |
1.214 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
OSC MEMS 27.0000MHZ LVCMOS/LVTTL |
1.219 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 5032, 25PPM, 3.3V, 3 |
0.699 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 5032, 20PPM, 2.5V, 6 |
0.676 |
|
Быть в наличии |
|
Abracon Corporation
|
OSC XO 41.625MHZ HCMOS SMD |
1.418 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 3225, 20PPM, 2.25V-3 |
3.045 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 7050, 50PPM, 2.5V, 1 |
1.775 |
|
Быть в наличии |
|
Abracon Corporation
|
OSC MEMS XO 5.1200MHZ ST |
1.165 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 7050, 50PPM, 2.8V, 4 |
1.128 |
|
Быть в наличии |
|
IDT (Integrated Device Technology)
|
OSC XO 150.0000MHZ LVDS SMD |
2.943 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 7050, 50PPM, 2.25V-3 |
0.561 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 2016, 50PPM, 2.5V, 1 |
0.535 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 3225, 25PPM, 3.3V, 3 |
0.615 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 2520, 25PPM, 2.8V, 3 |
1.279 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 3225, 20PPM, 2.8V, 1 |
1.446 |
|
Быть в наличии |
|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
OSC XO 213.6200MHZ LVDS SMD |
14.091 |
|
Быть в наличии |
|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
VCXO; DIFF/SE; SINGLE FREQ; 10-1 |
31.343 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 7050, 20PPM, 2.8V, 1 |
2.196 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 2520, 20PPM, 2.8V, 1 |
1.864 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
OSC MEMS 28.2240MHZ LVCMOS SMD |
0.664 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 3225, 20PPM, 2.5V, 7 |
2.899 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 2016, 50PPM, 2.5V, 6 |
0.554 |
|
Быть в наличии |
|
Abracon Corporation
|
OSC MEMS 32MHZ H/LVCMOS SMD |
2.505 |
|
Быть в наличии |
|
Abracon Corporation
|
OSC MEMS XO 33.3333MHZ ST |
1.254 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 2520, 50PPM, 2.8V, 4 |
0.562 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 2016, 20PPM, 2.5V, 2 |
0.586 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 3225, 50PPM, 2.8V, 1 |
0.535 |
|
Быть в наличии |
|
ECS Inc. International
|
OSC XO 25.0000MHZ HCMOS SMD |
3.903 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 3225, 25PPM, 2.5V, 3 |
1.279 |
|
Быть в наличии |
|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
VCXO; DIFF/SE; SINGLE FREQ; 10-1 |
11.458 |
|
Быть в наличии |
|
IDT (Integrated Device Technology)
|
OSC XO 33.333MHZ HCMOS SMD |
- |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 7050, 25PPM, 2.8V, 6 |
1.058 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 7050, 25PPM, 3.3V, 6 |
1.652 |
|
Быть в наличии |
|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
OSC XO 25.0000MHZ CMOS SMD |
12.15 |
|
Быть в наличии |
|
Micrel / Microchip Technology
|
MEMS OSCILLATOR |
- |
|
Быть в наличии |
|
CTS Electronic Components
|
OSC VCXO 27.000MHZ HCMOS TTL SMD |
1.933 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 7050, 25PPM, 1.8V, 2 |
1.652 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 3225, 20PPM, 3.3V, 1 |
1.735 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 7050, 25PPM, 1.8V, 1 |
1.249 |
|
Быть в наличии |
|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
OSC XO 545.0000MHZ LVDS SMD |
50.206 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 2016, 20PPM, 3.0V, 5 |
0.586 |
|
Быть в наличии |
|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
SINGLE FREQUENCY XO, OE PIN 2 (O |
10.407 |
|
Быть в наличии |
|
Epson
|
OSC XO 26.000MHZ CMOS SMD |
1.087 |
|
Быть в наличии |
|
ECS Inc. International
|
OSC XO 16.000MHZ HCMOS SMD |
1.242 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 7050, 25PPM, 2.5V, 7 |
1.524 |
|
Быть в наличии |
|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
OSC VCXO 132.8125MHZ CML SMD |
20.374 |
|
Быть в наличии |
|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
SINGLE FREQUENCY XO, OE PIN 2 (O |
7.251 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 5032, 20PPM, 2.25V-3 |
2.05 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 3225, 20PPM, 2.8V, 8 |
0.636 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 7050, 20PPM, 2.8V, 6 |
1.981 |
|
Быть в наличии |