|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
VCXO; DIFF/SE; SINGLE FREQ; 10-8 |
8.299 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 7050, 20PPM, 2.25V-3 |
1.952 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 2520, 25PPM, 2.8V, 6 |
0.962 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 2520, 25PPM, 1.8V, 8 |
0.615 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 2520, 20PPM, 3.3V, 2 |
1.781 |
|
Быть в наличии |
|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
OSC VCXO 100.0000MHZ LVDS SMD |
13.245 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 7050, 50PPM, 3.3V, 2 |
0.924 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 3225, 50PPM, 3.3V, 1 |
1.735 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 7050, 50PPM, 3.3V, 1 |
1.735 |
|
Быть в наличии |
|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
OSC XO 200.0000MHZ LVDS SMD |
45.347 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 5032, 20PPM, 2.5V, 2 |
0.645 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 3225, 50PPM, 3.0V, 2 |
0.554 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 3225, 20PPM, 3.3V, 3 |
0.669 |
|
Быть в наличии |
|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
SINGLE FREQUENCY XO, OE PIN 1 |
3.108 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 2520, 25PPM, 2.8V, 1 |
0.669 |
|
Быть в наличии |
|
Abracon Corporation
|
OSC MEMS 20MHZ H/LVCMOS SMD |
3.299 |
|
Быть в наличии |
|
Abracon Corporation
|
OSC MEMS 16MHZ H/LVCMOS SMD |
1.599 |
|
Быть в наличии |
|
AVX Corporation
|
OSC XO 1.8432MHZ CMOS SMD |
0.892 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 7050, 25PPM, 3.3V, 3 |
1.185 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 7050, 50PPM, 1.8V, 3 |
0.609 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 7050, 25PPM, 1.8V, 6 |
0.645 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 3225, 10PPM, 2.8V, 1 |
3.45 |
|
Быть в наличии |
|
Abracon Corporation
|
OSC OCXO 20.000MHZ SINE WAVE SMD |
119.394 |
|
Быть в наличии |
|
Abracon Corporation
|
OSC MEMS XO 80.0000MHZ OE |
1.562 |
|
Быть в наличии |
|
Abracon Corporation
|
OSC MEMS XO 44.0000MHZ ST |
1.485 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 7050, 20PPM, 2.5V, 3 |
1.058 |
|
Быть в наличии |
|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
VCXO; DIFF/SE; SINGLE FREQ; 10-8 |
6.499 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 5032, 25PPM, 2.25V-3 |
1.006 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 3225, 25PPM, 2.5V, 7 |
0.636 |
|
Быть в наличии |
|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
OSC XO 135.0000MHZ LVDS SMD |
33.523 |
|
Быть в наличии |
|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
SINGLE FREQUENCY XO, OE PIN 2 (O |
10.43 |
|
Быть в наличии |
|
Abracon Corporation
|
OSC MEMS 16MHZ H/LVCMOS SMD |
1.643 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 5032, 50PPM, 2.25V-3 |
0.924 |
|
Быть в наличии |
|
TXC Corporation
|
OSC TCXO 20.000MHZ CLPD SNWV SMD |
1.33 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
OSC MEMS 50.0000MHZ LVCMOS SMD |
0.646 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
OSC MEMS 49.1520MHZ LVCMOS SMD |
0.743 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 3225, 20PPM, 3.3V, 4 |
0.636 |
|
Быть в наличии |
|
Energy Micro (Silicon Labs)
|
SINGLE FREQUENCY XO, OE PIN 2 (O |
10.847 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 3225, 25PPM, 2.25V-3 |
1.01 |
|
Быть в наличии |
|
Abracon Corporation
|
OSC MEMS XO 15.3600MHZ OE |
1.098 |
|
Быть в наличии |
|
IDT (Integrated Device Technology)
|
OSC XO 84.000MHZ HCMOS SMD |
- |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 2520, 25PPM, 3.0V, 5 |
1.01 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 5032, 25PPM, 1.8V, 6 |
1.652 |
|
Быть в наличии |
|
Abracon Corporation
|
OSC TCXO 10.000MHZ LVCMOS SMD |
49.195 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 2520, 10PPM, 2.5V, 4 |
3.45 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 7050, 25PPM, 2.5V, 1 |
2.05 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 2520, 20PPM, 2.8V, 6 |
0.636 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-40 TO 85C, 7050, 20PPM, 2.5V, 1 |
1.909 |
|
Быть в наличии |
|
Abracon Corporation
|
OSC MEMS XO 14.3182MHZ ST |
1.254 |
|
Быть в наличии |
|
SiTime
|
-20 TO 70C, 3225, 50PPM, 3.3V, 7 |
1.212 |
|
Быть в наличии |