|
|
Diodes Incorporated
|
MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310 |
0.094 |
|
Быть в наличии |
|
|
LAPIS Semiconductor
|
SIC POWER MODULE |
525.71 |
|
Быть в наличии |
|
|
IXYS Corporation
|
MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI |
- |
|
Быть в наличии |
|
|
INFINEON
|
|
0.435 |
|
Быть в наличии |
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L |
0.57 |
|
Быть в наличии |
|
|
LAPIS Semiconductor
|
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8 |
0.893 |
|
Быть в наличии |
|
|
Microsemi
|
MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 |
177.604 |
|
Быть в наличии |
|
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC |
0.449 |
|
Быть в наличии |
|
|
INFINEON
|
|
0.226 |
|
Быть в наличии |
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP |
- |
|
Быть в наличии |
|
|
Diodes Incorporated
|
MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN |
0.329 |
|
Быть в наличии |
|
|
International Rectifier (Infineon Technologies)
|
MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET |
- |
|
Быть в наличии |
|
|
Luminary Micro / Texas Instruments
|
|
1.507 |
|
Быть в наличии |
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
|
0.182 |
|
Быть в наличии |
|
|
IXYS Corporation
|
MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS |
- |
|
Быть в наличии |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc.
|
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC |
2.64 |
|
Быть в наличии |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc.
|
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP |
3.493 |
|
Быть в наличии |
|
|
International Rectifier (Infineon Technologies)
|
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
0.796 |
|
Быть в наличии |
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 |
1.918 |
|
Быть в наличии |
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 |
- |
|
Быть в наличии |
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
0.75 |
|
Быть в наличии |
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage
|
|
0.071 |
|
Быть в наличии |
|
|
DIODES INC
|
|
0.127 |
|
Быть в наличии |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc.
|
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP |
3.639 |
|
Быть в наличии |
|
|
Nexperia
|
MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC |
0.335 |
|
Быть в наличии |
|
|
Diodes Incorporated
|
|
0.099 |
|
Быть в наличии |
|
|
ON Semiconductor
|
|
1.13 |
|
Быть в наличии |
|
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET 2N-CH 60V 15A |
1.843 |
|
Быть в наличии |
|
|
Sanken Electric Co., Ltd.
|
MOSFET 6N-CH 250V 7A 12-SIP |
5.434 |
|
Быть в наличии |
|
|
Central Semiconductor
|
MOSFET N/P-CH 20V SOT563 |
0.214 |
|
Быть в наличии |
|
|
Diodes Incorporated
|
|
0.802 |
|
Быть в наличии |
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP |
- |
|
Быть в наличии |
|
|
Diodes Incorporated
|
|
0.126 |
|
Быть в наличии |
|
|
Nexperia
|
|
0.083 |
|
Быть в наличии |
|
|
Diodes Incorporated
|
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO |
0.414 |
|
Быть в наличии |
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC |
- |
|
Быть в наличии |
|
|
International Rectifier (Infineon Technologies)
|
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC |
- |
|
Быть в наличии |
|
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
|
|
0.197 |
|
Быть в наличии |
|
|
Nexperia
|
MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK |
0.672 |
|
Быть в наличии |
|
|
Central Semiconductor
|
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26 |
0.161 |
|
Быть в наличии |
|
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA |
0.676 |
|
Быть в наличии |
|
|
Diodes Incorporated
|
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363 |
0.081 |
|
Быть в наличии |
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
|
0.602 |
|
Быть в наличии |
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
|
0.458 |
|
Быть в наличии |
|
|
IXYS Corporation
|
MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS |
- |
|
Быть в наличии |
|
|
International Rectifier (Infineon Technologies)
|
|
0.541 |
|
Быть в наличии |
|
|
LAPIS Semiconductor
|
|
0.066 |
|
Быть в наличии |
|
|
LAPIS Semiconductor
|
30V NCH+NCH POWER MOSFET |
0.278 |
|
Быть в наличии |
|
|
Diodes Incorporated
|
MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363 |
0.131 |
|
Быть в наличии |
|
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
INTEGRATED CIRCUIT |
- |
|
Быть в наличии |
