|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
|
MOSFET N-CH 60V 13A TO220 |
0.797 |
|
Быть в наличии |
|
IXYS Corporation
|
MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK |
2.665 |
|
Быть в наличии |
|
Diodes Incorporated
|
|
0.036 |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL |
0.768 |
|
Быть в наличии |
|
Diodes Incorporated
|
MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP |
- |
|
Быть в наличии |
|
Diodes Incorporated
|
MOSFET N-CH 700V 3.9A |
0.8 |
|
Быть в наличии |
|
IXYS Corporation
|
MOSFET N-CH 85V 152A TO-263 |
- |
|
Быть в наличии |
|
IXYS Corporation
|
MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
17.68 |
|
Быть в наличии |
|
International Rectifier (Infineon Technologies)
|
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB |
0.507 |
|
Быть в наличии |
|
International Rectifier (Infineon Technologies)
|
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3 |
0.767 |
|
Быть в наличии |
|
LAPIS Semiconductor
|
1700V 1.2 OHM 4A SIC FET |
4.832 |
|
Быть в наличии |
|
International Rectifier (Infineon Technologies)
|
MOSFET COOL MOS 600V |
- |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
|
0.141 |
|
Быть в наличии |
|
STMicroelectronics
|
|
0.7 |
|
Быть в наличии |
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
|
|
0.291 |
|
Быть в наличии |
|
Toshiba Semiconductor and Storage
|
MOSFET N CH 120V 56A TO-220 |
1.562 |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK |
- |
|
Быть в наличии |
|
IXYS Corporation
|
MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB |
1.334 |
|
Быть в наличии |
|
LAPIS Semiconductor
|
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263 |
0.917 |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
NMOS PWR56 100V 5.8 MOHM |
0.825 |
|
Быть в наличии |
|
Diodes Incorporated
|
|
0.226 |
|
Быть в наличии |
|
Nexperia
|
MOSFET N-CH 30V TO220AB |
0.587 |
|
Быть в наличии |
|
International Rectifier (Infineon Technologies)
|
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
0.986 |
|
Быть в наличии |
|
Diodes Incorporated
|
MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 |
0.4 |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL |
0.405 |
|
Быть в наличии |
|
Microsemi
|
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 |
28.037 |
|
Быть в наличии |
|
Global Power Technologies Group
|
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F |
- |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
- |
|
Быть в наличии |
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
|
MOSFET N-CH 60V 19A TO220 |
1.284 |
|
Быть в наличии |
|
STMicroelectronics
|
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
0.86 |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 |
- |
|
Быть в наличии |
|
Renesas Electronics America
|
TRANSISTOR |
- |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET N-CH 800V 5.8A TO-220 |
- |
|
Быть в наличии |
|
ON Semiconductor
|
|
0.08 |
|
Быть в наличии |
|
International Rectifier (Infineon Technologies)
|
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3 |
0.772 |
|
Быть в наличии |
|
STMicroelectronics
|
MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP |
27.93 |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB |
1.167 |
|
Быть в наличии |
|
International Rectifier (Infineon Technologies)
|
|
0.942 |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET P-CH 30V 7A 1212-8 |
- |
|
Быть в наличии |
|
Microsemi
|
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX |
- |
|
Быть в наличии |
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
|
MOSFET N-CH 30V 12A |
- |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB |
- |
|
Быть в наличии |
|
IXYS Corporation
|
MOSFET N-CH 600V 30A TO-263 |
5.02 |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET N-CH 40V 29A 140A 5DFN |
0.482 |
|
Быть в наличии |
|
Toshiba Semiconductor and Storage
|
MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220 |
1.106 |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 |
- |
|
Быть в наличии |
|
Diodes Incorporated
|
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 |
0.303 |
|
Быть в наличии |
|
Microsemi
|
MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 |
- |
|
Быть в наличии |
|
Infineon Technologies
|
|
0.68 |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
|
0.33 |
|
Быть в наличии |