Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз
RFQs/ORDER (0)
русский
RFQs/ORDER (0)
28,619 Results
| Часть # | производитель | Описание | Цена | Количество | Доступность |
|---|---|---|---|---|---|
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH TO262-3 | - | Быть в наличии | |
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 | - | Быть в наличии | |
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO | - | Быть в наличии | |
|
Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7 | - | Быть в наличии | |
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3 | 0.667 | Быть в наличии | |
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | 1.811 | Быть в наличии | |
|
Nexperia | MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB | - | Быть в наличии | |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A | 0.497 | Быть в наличии | |
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | - | Быть в наличии | |
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 | 0.196 | Быть в наличии | |
|
IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220 | 1.191 | Быть в наличии | |
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3 | 0.818 | Быть в наличии | |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 0.231 | Быть в наличии | ||
|
IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD | 9.571 | Быть в наличии | |
|
Toshiba Semiconductor and Storage | 0.352 | Быть в наличии | ||
|
IXYS Corporation | POWER MOSFET TO-3 | - | Быть в наличии | |
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 | - | Быть в наличии | |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6 | - | Быть в наличии | |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 60V 57A POWERPAKSO-8 | 0.512 | Быть в наличии | |
|
IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P | 4.373 | Быть в наличии | |
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | DIFFERENTIATED MOSFETS | 1.548 | Быть в наличии | |
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAKSO-8 | 0.696 | Быть в наличии | |
|
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK | 2.459 | Быть в наличии | |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK | - | Быть в наличии | |
|
EPC | TRANS GAN 15V BUMPED DIE | 0.746 | Быть в наличии | |
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 100V 32A TO251A | - | Быть в наличии | |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 0.273 | Быть в наличии | ||
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK | 1.728 | Быть в наличии | |
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26 | 0.149 | Быть в наличии | |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 0.81 | Быть в наличии | ||
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK | 1.808 | Быть в наличии | |
|
Nexperia | MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1 | - | Быть в наличии | |
|
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK | - | Быть в наличии | |
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | - | Быть в наличии | |
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | 0.32 | Быть в наличии | |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8 | 0.638 | Быть в наличии | |
|
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK | 2.863 | Быть в наличии | |
|
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK | - | Быть в наличии | |
|
|
Diodes Incorporated | 0.17 | Быть в наличии | ||
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23 | 0.272 | Быть в наличии | |
|
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F | - | Быть в наличии | |
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 25V 57A IPAK | - | Быть в наличии | |
|
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 0.986 | Быть в наличии | ||
|
Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | 26.821 | Быть в наличии | |
|
IXYS Corporation | MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B | 36.427 | Быть в наличии | |
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 32A 8SOP | 0.303 | Быть в наличии | |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | 0.527 | Быть в наличии | ||
|
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | - | Быть в наличии | ||
|
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK | - | Быть в наличии | |
|
|
IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 160A TO-220 | 1.964 | Быть в наличии |
| Часть # | производитель | Описание | Цена | Количество | Доступность |
|---|
| Часть # | производитель | Описание | Цена | Количество | Доступность |
|---|