Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > UMD12NTR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1170676

UMD12NTR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
5+
$0.064
50+
$0.053
150+
$0.047
500+
$0.043
3000+
$0.035
6000+
$0.033
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    UMD12NTR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Тип транзистор
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Поставщик Упаковка устройства
    UMT6
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    47 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    47 kOhms
  • Мощность - Макс
    150mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    10 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    250MHz
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    500nA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
  • Номер базового номера
    MD12
RN2969(TE85L,F)

RN2969(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
UMD4NTR

UMD4NTR

Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UMD5NTR

UMD5NTR

Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
NSBC114TDXV6T5

NSBC114TDXV6T5

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
PRMH9Z

PRMH9Z

Описание: PRMH9/SOT1268/DFN1412-6

Производители: Nexperia
Быть в наличии
NSVMUN5312DW1T3G

NSVMUN5312DW1T3G

Описание: TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
PUMD3,115

PUMD3,115

Описание:

Производители: Nexperia
Быть в наличии
UMD9NTR

UMD9NTR

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UMD6NTR

UMD6NTR

Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
UP0421000L

UP0421000L

Описание: TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
UMD2NTR

UMD2NTR

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
NP0G3D200A

NP0G3D200A

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
UMD3NTR

UMD3NTR

Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UMD22NTR

UMD22NTR

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
PBLS6004D,115

PBLS6004D,115

Описание: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

Производители: Nexperia
Быть в наличии
UMH3NTN

UMH3NTN

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UP0421100L

UP0421100L

Описание: TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
XP0111400L

XP0111400L

Описание: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти