Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > UMD3NTR
Онлайн - запрос
русский
2991136

UMD3NTR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.57
10+
$0.409
25+
$0.318
100+
$0.241
250+
$0.17
500+
$0.136
1000+
$0.104
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    UMD3NTR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Тип транзистор
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Поставщик Упаковка устройства
    UMT6
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    10 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    10 kOhms
  • Мощность - Макс
    150mW
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Другие названия
    UMD3NCT
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    10 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    250MHz
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    500nA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
  • Номер базового номера
    *MD3
FMC3AT148

FMC3AT148

Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT5

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UMD4NTR

UMD4NTR

Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UMD9NTR

UMD9NTR

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
DDC123JU-7-F

DDC123JU-7-F

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
UMD12NTR

UMD12NTR

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
IMD2AT108

IMD2AT108

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
EMB10T2R

EMB10T2R

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UMD5NTR

UMD5NTR

Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
DDC114EU-7

DDC114EU-7

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
NSVUMC3NT1G

NSVUMC3NT1G

Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC88

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
UMD6NTR

UMD6NTR

Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UMD2NTR

UMD2NTR

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
DMA561010R

DMA561010R

Описание: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
UMD22NTR

UMD22NTR

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
NSBA143ZDXV6T1G

NSBA143ZDXV6T1G

Описание: TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
DDC144NS-7

DDC144NS-7

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
NSBA123JDXV6T1

NSBA123JDXV6T1

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
PUMD9,135

PUMD9,135

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

Производители: Nexperia
Быть в наличии
RN1907,LF(CT

RN1907,LF(CT

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии

Review (1)

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти