Главная > Продукты > Оптоэлектроника > Лазерные диоды, модули > GH06560B2C
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5954153

GH06560B2C

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    GH06560B2C
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    LASER DIODE 658NM 60MW TO18
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Содержит несоответствие свинца / RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • длина волны
    658nm
  • Напряжение - Вход
    2.6V
  • Серии
    -
  • Мощность (Вт)
    60mW
  • Упаковка /
    Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Другие названия
    425-1808
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Подробное описание
    Laser Diode 658nm 60mW 2.6V 85mA Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Текущий рейтинг
    85mA
OPV302

OPV302

Описание: LASER DIODE 850NM 1.5MW TO46

Производители: Optek Technology / TT Electronics
Быть в наличии
NX7335AN-AA-AZ

NX7335AN-AA-AZ

Описание: LASER DIODE 1310NM 40MW MODULE

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
GH04125A2A

GH04125A2A

Описание: LASER DIODE 406NM 130MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
GH06550B2B

GH06550B2B

Описание: LASER DIODE 654NM 50MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
GH06507B2A

GH06507B2A

Описание: LASER DIODE 654NM 7MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
VLM-650-27-LPA

VLM-650-27-LPA

Описание: LASER DIODE 650NM 3MW 12.5MM DIA

Производители: Quarton, Inc.
Быть в наличии
GH04P21A2GE

GH04P21A2GE

Описание: LASER DIODE 406NM 105MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
GH04020B2A

GH04020B2A

Описание: LASER DIODE 406NM 20MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
SPL BZ102-20 (1013 +/-5NM)

SPL BZ102-20 (1013 +/-5NM)

Описание: BARE LASER BAR

Производители: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.
Быть в наличии
FP-1310-5I-50SMF-FCAPC

FP-1310-5I-50SMF-FCAPC

Описание: LASER DIODE 1310NM 10MW MODULE

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
MM6405I

MM6405I

Описание: LASER DIODE 640NM 5MW 6.4MM DIA

Производители: US-Lasers, Inc.
Быть в наличии
DM80-01-1-8870-3-LC

DM80-01-1-8870-3-LC

Описание: LASER DIODE 1589NM 5.011MW

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
DM80-01-1-9320-3-LC

DM80-01-1-9320-3-LC

Описание: LASER DIODE 1552NM 5.011MW

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
015279

015279

Описание: LASER MODULE 375NM 20MW

Производители: Excelitas Technologies
Быть в наличии
GH06510B2A

GH06510B2A

Описание: LASER DIODE 654NM 10MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
NX8563LB461-BA222-AZ

NX8563LB461-BA222-AZ

Описание: LASER DIODE 1550NM 10MW 14BFLY

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
NX7437BF-AA-AZ

NX7437BF-AA-AZ

Описание: LASER DIODE 1490NM 90MW MODULE

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
GH0358821MA6N

GH0358821MA6N

Описание: CAP CER 820PF 50V X7R NONSTND

Производители: AVX Corporation
Быть в наличии
DM80-01-1-9350-3-LC

DM80-01-1-9350-3-LC

Описание: LASER DIODE 1549NM 5.011MW

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
GH0781JA2C

GH0781JA2C

Описание: LASER DIODE 784NM 120MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти