Главная > Продукты > Оптоэлектроника > Лазерные диоды, модули > GH0781JA2C
Онлайн - запрос
русский
1062381GH0781JA2C Image.Sharp Microelectronics

GH0781JA2C

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    GH0781JA2C
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    LASER DIODE 784NM 120MW TO18
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • длина волны
    784nm
  • Напряжение - Вход
    2.1V
  • Серии
    -
  • Мощность (Вт)
    120mW
  • Упаковка /
    Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Другие названия
    425-1809
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    Laser Diode 784nm 120mW 2.1V 141mA Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Текущий рейтинг
    141mA
GH06510B2A

GH06510B2A

Описание: LASER DIODE 654NM 10MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
HFD3180-108

HFD3180-108

Описание: LASER DIODE 850NM 6.27MM DIA

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
VLM-635-04 LPT

VLM-635-04 LPT

Описание: LASER DIODE 635NM 1MW 6.55MM DIA

Производители: Quarton, Inc.
Быть в наличии
GH06507B2A

GH06507B2A

Описание: LASER DIODE 654NM 7MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
GH04P21A2GE

GH04P21A2GE

Описание: LASER DIODE 406NM 105MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
GH04020B2A

GH04020B2A

Описание: LASER DIODE 406NM 20MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
VLM-650-02G LPT

VLM-650-02G LPT

Описание: LASER DIODE 650NM 1MW 10.5MM DIA

Производители: Quarton, Inc.
Быть в наличии
DM80-01-1-9520-3-LC

DM80-01-1-9520-3-LC

Описание: LASER DIODE 1536NM 5.011MW

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
GH06560B2C

GH06560B2C

Описание: LASER DIODE 658NM 60MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
DM200-01-1-8990-0-LC

DM200-01-1-8990-0-LC

Описание: LASER DIODE 1579NM 1.995MW

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
GH06550B2B

GH06550B2B

Описание: LASER DIODE 654NM 50MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
VLM-650-01G LPT

VLM-650-01G LPT

Описание: LASER DIODE 650NM 1MW 10.5MM DIA

Производители: Quarton, Inc.
Быть в наличии
DM80-01-1-9010-3-LC

DM80-01-1-9010-3-LC

Описание: LASER DIODE 1577NM 5.011MW

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
DM80-01-3-9380-3-LC

DM80-01-3-9380-3-LC

Описание: LASER DIODE 1547NM 2.511MW

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
VLM-635-02 LPA

VLM-635-02 LPA

Описание: LASER DIODE 635NM 3MW 10.5MM DIA

Производители: Quarton, Inc.
Быть в наличии
VOL6505I

VOL6505I

Описание: LASER DIODE 650NM 4.8MW 10.4MM

Производители: US-Lasers, Inc.
Быть в наличии
GH04125A2A

GH04125A2A

Описание: LASER DIODE 406NM 130MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
GH0358821MA6N

GH0358821MA6N

Описание: CAP CER 820PF 50V X7R NONSTND

Производители: AVX Corporation
Быть в наличии
VLM-520-01 LPT

VLM-520-01 LPT

Описание: LASER DIODE 520NM 1MW 10.4MM DIA

Производители: Quarton, Inc.
Быть в наличии
MM6505I

MM6505I

Описание: LASER DIODE 650NM 5MW 6.4MM DIA

Производители: US-Lasers, Inc.
Быть в наличии

Review (1)

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти